Новости

• фундаментальные и прикладные исследования процессов выращивания кристаллов;
• поиск новых кристаллических и наноструктурных сред с функционально важными свойствами, фундаментальные основы нанотехнологий;
• комплексные исследования физико-химических свойств и физических явлений в кристаллах, тонких пленках, наноматериалах;
• теория нелинейных явлений, транспорта и структурообразования в конденсированном состоянии вещества.

• монокристаллы оксидов Pb(Mo)O₄, Pb(W)O₄, Al₂O₃:Ti, AlN, YAG:Ce, LuAG:Pr, CaGa_2-xMn_xGe₃O₁₂, LuAG:Ce, NaCa₂Mn₂V₃O₁₂ и др. для оптики, оптоэлектроники, лазерной и сцинтилляционной техники;
• полупроводниковые монокристаллы группы AIIBVI и их твердых растворов Cd_1-xZn_xTe, ZnSe:Cr, ZnSe:Fe, Zn_1-xMg_xSe:Cr и др. для детектирования ионизирующего излучения и лазерной техники;
• нелинейно-оптические материалы на основе монокристаллов группы KDP, допированные наночастицами TiO₂, SiO₂, ZrO₂, Al₂O₃, Au и др.;
• сцинтилляционные материалы на основе монокристаллов группы KDP, допированных органическими люминофорами и редкоземельными элементами Ce³⁺, Sm³⁺, Gd³⁺,Yb³⁺ для регистрации смешанных n/γ полей;
• сапфир конструкционного назначения для изготовления подложек светодиодов, оптических окон, прозрачной брони, химической посуды, медицинских имплантатов и др.
• нанокристаллические пленки углерода и SiC для оптики и электроники;
• нанопорошки благородных металлов Au, Ag, Pt, Pd, оксидов RE₂O₃ (RE: Lu, Eu, Gd), Y₂O₃, Y₃Al₅O₁₂ и др., полупроводников ZnO, CdS, PbS и др., пленочные структуры и керамика на их основе для задач фотоники, катализа, медицины;
• органико-неорганические наногибридные многослойные материалы для матричных электролюминесцентных светодиодов и фотопреобразователей.

• выращивания крупных монокристаллов сапфира (до 350х500х50 мм³) методом горизонтально направленной кристаллизации в средах с регулируемым окислительно-восстановительным потенциалом;
• выращивания монокристаллов сапфира диаметром до 250 мм методом Киропулоса;
• выращивания монокристаллов Ti:сапфира методами Чохральского и горизонтально-направленной кристаллизации (до 100х200х50 мм³) ;
• получения AlN покрытий на поверхности сапфира методом термохимической нитридизации;
• выращивания профилированного сапфира методом Степанова в виде стержней и трубок переменного диаметра, капилляров, пластин различных типоразмеров и др.;
• выращивания монокристаллов группы AIIBVI методом Бриджмена под высоким давлением;
• выращивания монокристаллов группы KDP, в том числе допированных диэлектрическими и металлическими наночастицами, органическими люминофорами и ионами редкоземельных элементов;
• низкотемпературного синтеза пленок углерода и SiC осаждением ионных пучков на подложку;
• синтеза слабоагломерированных нанопорошков различных типов методами химического соосаждения;
• методов консолидации и спекания нанопорошков;
• методов формирования многослойных гетероструктур с инкорпорированными нанокристаллами полупроводников;
• ростовой аппаратуры и управляющих программ.